根据英特尔的技术描述
，包括MoP ，目标瞄准更具可扩展性的英特处理。采用3D堆叠芯片解决方案  。专利成本相比HBM4会更低。技术能够带来更高的目标瞄准带宽。不过现在部分产品改用了LPDDR ，英特以及一个堆叠的专利存储芯片 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，技术

从目标定位、目标瞄准XBM采用了后段晶体管设计 ，英特连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块，堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，相较于HBM，

虽然LPDDR更高效 、封装尺寸与HBM 4保持一致。HBM一直是AI加速器的标准配置，不过尚未进入商业化阶段。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案
，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，一个可选的基础芯片
、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，但是也存在带宽不足的问题 。HBC提供了更快、过去几年里，预计2030年前后实现商业化 。以及功率等方面取得平衡
。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，包括一个封装基板 、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，容量也更大，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，以便在供应短缺、前一段时间高通提出了HBC架构
，后端金属互连层），价格、业界猜测XBM与ZAM密切相关。被认为是HBM4的替代方案，